三星公司近日宣布開發(fā)出了一種新型DIMM內存，這種內存所使用的芯片中采用了可將多塊芯片組裝在一起的3D堆疊技術。采用這種技術的內存芯片容量可比普通內存芯片的存儲密度提升一倍，用于堆疊的芯片則是三星40nm制程 Green DDR3芯片。
三星稱這款內存產品將面向服務器/企業(yè)級存儲市場，并宣稱這種內存產品相比普通的RDIMM內存可最多節(jié)電40%，三星還稱采用這種堆疊技術可以極大地增加下一代服務器系統的內存芯片存儲密度。
3D堆疊技術可在芯片的垂直方向制出微米級尺寸的連接孔洞穿透芯片，然后在這些孔洞中注入導體材料，通過這種方式將兩塊芯片連接在一起，減小了多芯片的占地面積。三星還計劃在30nm及更高級別制程的內存芯片產品上也應用這種技術。
不過三星并沒有透露這款新型RDIMM內存的價格信息，僅表示這款產品將于明年上半年正式上市。
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